Le rêve de mémoire universelle, capable de remplacer les trois types de mémoires Dram, Sram et Flash, renaît. Du moins pour l’embarqué. Il est incarné par la pépite française Antaïos. Fondée en 2017 par essaimage du Spintec (labo commun CNRS, Université Alpes Grenoble et CEA sur la spintronique), elle développe une nouvelle génération de mémoire magnétique, la SOT-Mram (pour Spin Orbit Torque Mram).
Dix ans de R&D
Cette technologie s’appuie sur dix ans de recherche et développement, d’abord au Spintec puis dans un projet européen. Elle semble parée de tous les atouts pour remplacer dans l’embarqué non seulement la Flash comme mémoire de travail mais aussi la Sram comme antémémoire de stockage temporaire des données de traitement. "Le fait d’utiliser la même mémoire pour à la fois le traitement et le stockage des données temporaires réduit considérablement la taille, le coût et la consommation, explique Jean-Pierre Nozières, cofondateur et PDG d’Antaïos. Les déplacements de données lors du traitement représentent 80% de la consommation de courant des systèmes électroniques. En les supprimant, on réduit considérablement la consommation. Nous avons affaire à une technologie très vertueuse en matière d’environnement, la plus verte dans le domaine des mémoires. "
La mémoire magnétique Mram suscite les espoirs de l’industrie électronique depuis les année 1980. La génération actuelle, la STT-Mram pour Spin Transfer Torque, est commercialisée en tant que composant discret par l’américain Everspin Technologies et pour l’embarqué par des fondeurs de semi-conducteurs comme GlobalFoundries, Samsung, Intel, TSMC ou UMC. "Mais le rêve de mémoire universelle, qui a été le point de départ du développement de la Mram, s’est évanoui, remarque Jean-Pierre Nozières. Problème de vitesse, d'endurance, de consommation... La STT-Mram s’est révélée incapable de remplacer la Sram comme antémémoire. Elle est condamnée à ne servir qu’au remplacement de la Flash comme mémoire de travail."

- 7.9495-0.35
2 Avril 2026
Yuan chinois (CNY) - quotidien¥ CNY/€
- 47515.45-2.38
Mars 2026
Cours mensuel de l'étain - settlement$ USD/tonne
La SOT-Mram est annoncée comme 10 à 100 fois plus rapide, avec une endurance quasiment illimitée, comparable à celle de la Sram pour une taille et une consommation très réduites. La technologie sort tout juste du labo. Antaïos entrevoit sa commercialisation dans 4-5 ans. Elle est en train de boucler sa première levée de fonds de 3 millions d’euros. De quoi en développer un démonstrateur dans deux ans.
Modèle de cession de licences
Des géants des puces se bousculent pour travailler avec la start-up française. Deux ont déjà noué un partenariat et un troisième est en discussions. Jean-Pierre Nozières reste discret sur les noms de ces partenaires. "Nous avons choisi de ne pas commercialiser nous-mêmes cette génération de mémoires mais de nous appuyer sur des partenaires pour le faire, précise-t-il. Notre modèle est de mener des travaux R&D pour eux et, une fois la mémoire est sur le marché, de leur concéder des licences de notre technologie. Nos revenus viendront des prestations R&D et des redevances de licences."
Antaïos compte aujourd’hui une dizaine de personnes. A l’issue de la levée de fonds d’ici juin prochain, elle prévoit de doubler son effectif et de renforcer sa présence dans la Silicon Valley en la portant à 3-5 personnes, contre une seule aujourd’hui. Elle revendique 10 familles de brevets essentiels sur sa technologie. Jean-Pierre Nozières se montre confiant. "L’industrie est aujourd’hui dans un cul de sac, estime-t-il. Elle est confrontée au problème de miniaturisation et de consommation de courant des mémoires actuelles. Nous avons la chance d’arriver à un moment important où les technologies existantes ne sont plus adaptées. Nous n’avons aucune angoisse sur l’acceptation du marché. Notre ennemi est le temps. Nous avons besoin de démontrer la pertinence de notre technologie avant que d’autres le fassent. L’opportunité est immense. Les mémoires embarquées représentent un marché de 40 à 50 milliards de dollars. "



