La Corée du Sud a la chance d’abriter les deux plus grands fabricants mondiaux de puces mémoires : Samsung Electronics et SK Hynix. Une position qui en fait une source incontournable pour toute l’industrie high-tech. Car ces composants sont au cœur de presque tous les équipements électroniques, des PC aux serveurs, en passant par les tablettes, les smartphones ou encore les décodeurs.
Samsung, deux fois plus gros
Où en sont ces deux poids lourds dans la course technologique ? Qui a l’avantage sur l’autre ? Quelles générations de mémoires sont-ils en train de préparer ? Le journal The Korea Herald se livre à un match entre ces deux fabricants.
Selon le cabinet TrendForce, Samsung Electronics et SK Hynix détiennent ensemble 72,3 % du marché mondial des mémoires Dram en 2019 et 44,3 % de celui des mémoires flash NAND. Mais le premier s’impose comme deux fois plus gros avec plus de 40 % de l’ensemble du marché, contre un peu plus de 20 % pour le second.
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Cette différence de taille se traduit dans la course technologique en faveur de Samsung Electronics. Mais au fil du temps, l’écart entre les deux frères ennemis s’est réduit. Aujourd’hui, ils apparaissent quasiment au même niveau dans les mémoires Dram où les progrès tendent à se tasser en raisons des difficultés de plus en grandes de miniaturisation. Ils en sont tous les deux à des procédés de fabrication de classe de 10 nanomètres. Samsung Electronics en est à la troisième génération, tandis que SK Hynix n’en est encore qu’à la première. Dans ce segment, l'écart technologique entre les deux sociétés a été réduit à moins d'un an, soit environ 8 à 10 mois, selon un responsable de l'industrie cité par The Korea Herald.
SK Hynix comble son retard dans les mémoires flash 3D
Dans les mémoires flash NAND, la course porte sur la construction en 3D en superposant des couches de stockage de données comme autant d’étages dans un immeuble. Samsung Electronics a joué un rôle pionnier en lançant en 2013 sa puce à 24 couches, la première du marché. Il a ensuite augmenté le nombre de couches empilées pour atteindre 64 couches à la fin de 2016.
SK Hynix a fait son entrée dans ce domaine en 2016 avec une puce à 36 couches avant de monter à 48 couches la même année. En 2017, il s’est payé le luxe de battre son grand rival en montant à 72 couches. De trois ans de retard, il est passé devant Samsung Electronics. Une avance qu’il conforte avec une autre percée technologique : le développement en 2018 de la première mémoire flash NAND en 4D à 96 couches de l'industrie. Et il se prépare actuellement à produire celle à 128 couches cette année.
En réaction, Samsung Electronics a décidé en 2018 de ne plus révéler le nombre exact de couches empilées dans ses puces flash NAND 3D, se contentant d’indiquer 9x couches pour ses produits à plus de 90 couches et 1xx pour ceux à plus de 100 couches. Ce qui laisse les observateurs spéculer sur le nombre exact de couches qu’il empile. Certains s’attendent à le voir atteindre 190 cette année.
