GlobalFoundries s’engouffre à son tour dans la course à la prochaine génération de mémoire embarquée. Le fondeur américain de semi-conducteurs, troisième dans le monde derrière le taïwanais TSMC et le coréen Samsung Foundry, lance la production en série de sa première mémoire vive magnétique embarquée, eMram, sur la base d'une technologie licenciée auprès de l'américain Everspin Technologies, leader mondial de cette nouvelle race de mémoires. La capacité offerte va de 4 à 48 Mbit.
Décollage du marché
La mémoire Mram semble remporter la bataille de la mémoire embarquée du futur sur la mémoire résistive (ReRam) et la mémoire à changement de phase (PC-Ram). Elle se destine à jouer le rôle de mémoire de travail dans les systèmes embarqués notamment au sein de microcontrôleurs.
Comme la mémoire flash NOR actuelle, elle est non volatile, conservant ses informations sans courant. Mais elle serait beaucoup plus rapide, plus sobre en énergie et plus résistante aux radiations ionisantes, ce qui en fait la solution idoine dans le spatial, l’aéronautique, l’automobile ou encore les objets connectés alimentés par batterie. L’américain Everspin Technologies, créé en 2008 par essaimage de Freescale, en est le précurseur mondial.
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Selon le cabinet Yole Développement, les nouvelles technologies de mémoires non volatiles sont en train de prendre leur essor, avec le potentiel d’en faire passer le marché mondial de 280 millions de dollars en 2018 à 7,2 milliards de dollars en 2023. Outre Everspin Technologies, la course comprend Intel, Samsung ou encore Crossbar.
Différenciation sur le marché
Pour se différencier sur le marché, GlobalFoundries a choisi de fabriquer sa mémoire eMram en FD-SOI de 22 nanomètres (22FDX dans le jargon de l’entreprise), une technologie française de puces issue de l’écosystème grenoblois de l’électronique. Selon cette technologie, la puce est réalisée, non pas sur un substrat de silicium massif traditionnel, mais sur un sandwich de silicium sur isolant de dernière génération fabriqué par l’isérois Soitec. Samsung Foundry a fait le même choix mais avec une gravure de 28 nanomètres. La technologie FD-SOI offre l’avantage d’optimiser le fonctionnement des transistors, de réduire les courants de fuites, et donc la consommation de courant, et d’améliorer la résistance aux radiations ionisantes. Son choix par GlobalFoundries est une bonne nouvelle pour Soitec, le fournisseur du substrat FD-SOI.
"Nous poursuivons notre engagement à différencier notre plate-forme FDX avec des solutions robustes et riches en fonctionnalités qui permettent à nos clients de créer des produits innovants pour des applications à hautes performances et à faible consommation d'énergie, commente dans le communiqué Mike Hogan, directeur général du secteur automobile et industriel chez GlobalFoundries. Notre eMRAM différenciée, déployée sur la plate-forme FDX la plus avancée de l'industrie, offre une combinaison unique de fonction radiofréquence haute performance, de logique à faible puissance et de gestion d'alimentation intégrée dans une solution facile à intégrer qui permet à nos clients de fournir une nouvelle génération de microcontrôleurs à basse consommation pour les application de l’Internet des objets. "
Production à Dresde, en Allemagne
La mémoire eMram est mise en production dans l’usine de GlobalFoundries à Dresde, en Allemagne, le site du fondeur dédié à la technologie FD-SOI.
