STMicroelectronics et Soitec ont annoncé, ce 1er décembre, collaborer dans la filière de carbure de silicium. Le fabricant franco-italien de puces va travailler pendant 18 mois à la qualification de la technologie SmartSiC de substrats en carbure de silicium de son voisin isérois. L’objectif est de l’adopter pour ses composants en carbure de silicium si les résultats sont concluants. La Bourse salue cet accord avec un gain de 5 % de l’action de Soitec et de 3,6 % de STMicroelectronics.
Il s’agit d’une bonne nouvelle pour Soitec. Le leader français de substrats de silicium sur isolant est engagé dans une diversification structurante dans les substrats de carbure de silicium, un matériau semi-conducteur clé pour l’électrification de l’automobile et de l’industrie en raison de ses avantages d’efficacité énergétique par rapport au silicium classique. L'objectif est d'imposer son SmartSiC dans chaque voiture électrique, comme il l'a fait avec son silicium sur isolant dans les smartphones.
Substrat réinventé
Avec sa technologie SmartSiC, Soitec réinvente le substrat de carbure de silicium en le construisant par collage d’une fine couche de carbure de silicium monocristallin sur un support en carbure polycristallin à faible résistivité. Cela offre l’avantage d’économiser le silicium monocristallin, disponible en quantité limitée, tout en dopant les performances des composants construits dessus. La technologie a été développée en partenariat avec le CEA-Leti, à Grenoble. Une usine dédiée est en construction sur le principal site industriel de la société à Bernin, en Isère. Elle devrait entrer en service à la mi-2023.
Selon Bernard Aspar, directeur général adjoint, Soitec travaille avec plusieurs clients potentiels à la qualification de cette technologie. Le partenariat avec STMicroelectronics est le premier à être rendu public. Les travaux de qualification vont commencer par les substrats SmartSiC de 150 mm de diamètre, qui constituent l’état de l’art actuel, pour s’étendre ensuite à ceux de 200 mm, que STMicroelectronics compte adopter pour gagner en productivité. Une plaquette 200 mm fournit en effet 1,8 à 1,9 fois plus de puces que celle de 150 mm.
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Tesla, pionnier
Cet accord va booster Soitec car STMicroelectronics fait figure de leader mondial des puces en carbure de silicium avec 41 % du marché en 2021, loin devant l’allemand Infineon Technologies, numéro deux avec 23 % selon le cabinet Yole Développement. Il compte un client emblématique, Tesla, pionnier dans l’adoption de cette technologie sur ses voitures électriques. L’industriel franco-italien s’appuie aujourd’hui sur des substrats de carbure de silicium massifs fournis principalement par l’américain Wolfspeed et l’allemand Si-Chrystal, filiale du japonais Rohm. Mais il va disposer d’une source interne de substrats via son usine en construction à Catane, en Sicile, avec l’objectif de subvenir à 40 % de ses besoins à partir de 2024.
Le partenariat avec Soitec comporte deux volets. Le premier ferait de Soitec une source d’approvisionnement en substrats SmartSiC. Le second donnerait à STMicroelectronics le droit de les fabriquer sous licence, dans son usine à Catane. L’objectif est d’avoir une double source, l’une interne, l’autre externe.
10 % du chiffre d'affaires en 2026
Encore émergente, la filière de puces en carbure de silicium est promise à un développement rapide, tiré notamment par l’électrification de l’automobile. Selon le cabinet Yole Développement, le marché devrait grimper de 1,1 milliard de dollars en 2021 à 6,3 milliards de dollars en 2027. Le SmartSiC pourrait devenir la diversification la plus importante de Soitec au-delà de sa spécialité d’origine, le silicium sur isolant. Selon Oddo-BHF, elle pourrait générer un revenu de 230 millions, représentant 10 % du chiffre d’affaires total sur l’exercice fiscal à clôturer en mars 2026.
