Le japonais Kioxia (ex-Toshiba Memory Corp) annonce le développement de sa nouvelle génération de mémoire flash 3D à 112 couches d’information. Elle est déjà disponible en des échantillons de 512 gigabit pour des applications comme les mobiles, les réseaux 5G, l’intelligence artificielle ou les véhicules autonome. Sa production de série est prévue dans les usines de Kioxia à Yokkaichi et Kitakami, au Japon, pour des capacités atteignant 1 térabit.
Développement conjoint avec Western Digital
Les mémoires flash 3D sont construites à la verticale en superposant les couches de stockage de données comme autant d’étages dans une tour. Un procédé qui vise à contourner les difficultés de miniaturisation pour continuer à augmenter la densité de stockage.
Kioxia a débuté ce mode de construction en 2007. Il en est aujourd’hui à sa cinquième génération de mémoire flash 3D. La dernière a été développée conjointement avec l’américain Western Digital, son partenaire depuis 2000 dans le développement et la production de mémoires flash.
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Gain de 20% de la densité
Par rapport à la génération actuelle à 96 couches, qui constitue le standard le plus avancé du marché, la nouvelle puce offre l’avantage d'augmenter de 20% la densité et d’améliorer de 50% la vitesse de transfert des données, selon la société japonaise.
Kioxia et Western Digital se distinguent de leurs concurrents Samsung Electronics, SK Hynix ou encore Micron Technology, qui prévoient de passer pour leurs prochaines générations à 128 couches. Ensemble, ils détiennent 32,4% du marché des mémoires flash NAND au troisième trimestre 2019 selon le cabinet TrendForce, derrière Samsung Electronics (33,5%), mais devant Micron Technology (12,9%), Intel (10,9%) et SK Hynix (9,6%).
