C’est un passionné de l’automobile. Mais il a préféré assouvir sa passion à travers la nanoélectronique et la pratique du karting. Diplômé de Polytech Orléans, Alexis Gauthier, 28 ans, jongle avec l’infiniment petit pour réinventer l’un des cœurs des puces : le transistor bipolaire.
Il a fait de ce sujet l’objet de sa thèse à l’université de Lille (Nord) dans le cadre d’un contrat Cifre avec STMicroelectronics. "Pendant trois ans et demi, j’ai fait le développement sur le site de ST à Crolles (Isère) et la caractérisation à Lille, confie-t-il. Le projet visait le doublement des performances de composants radiofréquences pour les infrastructures 5G puis 6G."
Un challenge à la fois technique et économique. "Il fallait rester compatible avec la gravure de 55 nanomètres des transistors Cmos, avec laquelle ST est seul à offrir un transistor bipolaire sur le marché, et ne pas augmenter les coûts de production, explique-t-il. Car, dans la même puce, les fonctions radiofréquences à transistor bipolaire cohabitent avec des fonctions de traitement à transistors Cmos."
Un pari réussi en trouvant la bonne topologie de transistor, les bons matériaux et bons dopants. Il a fallu une dizaine d’itérations (changement d’architecture, simulation, implémentation dans le silicium et caractérisation) pour aboutir au résultat souhaité. Son innovation a conduit à l’obtention de sept brevets. Elle devrait se retrouver dans des produits commerciaux d’ici trois à quatre ans.
Un succès qui lui vaut d’être embauché en 2019 par STMicroelectronics comme ingénieur de développement. Récemment promu ingénieur R & D senior, il aimerait devenir manager d’équipe R & D pour créer les technos de puces de demain.
