Le fabricant coréen de puces électroniques SK Hynix donne une sacrée leçon à son grand frère ennemi Samsung Electronics en lançant le premier la production en volume de la nouvelle génération de mémoire vive Dram à large bande passante (HBM pour high bandwith memory). Avec une vitesse de transfert de données de 460 gigaoctets par seconde, elle est présentée comme la plus rapide du marché. Sa mise en production de volume intervient seulement dix mois après l’achèvement de son développement en août 2019.
Construction en 3D
Cette mémoire de 16 gigaoctets est construite avec une technologie propriétaire d’assemblage 3D par empilement à la verticale de 8 puces Dram de 16 gigabits interconnectées par des trous enterrés dans le silicium. Selon SK Hynix, elle double la densité par rapport à la génération précédente tout en diminuant de 30 % la taille et de 50 % la consommation d’énergie. Elle est dédiée aux applications d’intelligence artificielle comme l’apprentissage statistique profond (Deep learning).
Course-poursuite derrière Samsung
SK Hynix s’impose comme le deuxième plus gros producteur de mémoires Dram avec 29,3 % du marché mondial au premier trimestre 2020 selon le cabinet TrendForce, derrière Samsung Electronics (44,1 %) mais devant l’américain Micron Technology (20,8 %). Il est engagé dans une course-poursuite visant à réduire l'écart avec son compatriote et rival en jouant à fond la carte de l'innovation.
